Informační systém výzkumu,
vývoje a inovací

Veřejně přístupná data IS VaVaI

Zpět na hledáníIng. Jan Vaniš, Ph.D.https://www.isvavai.cz/vedec/6d13e3f5-e4fb-2253-dc409bfd4ccbe7a0BETA TEST

Identifikátor vědce: 1902458

ResearcherID: H-2221-2014

dle letdle organizace
Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.  ( IČO: 67985882 )

2023, 2022, 2021, 2020, 2019, 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2009, 2008, 2007, 2006, 2003, 2000

Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.  ( IČO: 68378271 )

2016, 2015, 2014, 2007

Orientální ústav AV ČR, v. v. i.  ( IČO: 68378009 )

2011

České vysoké učení technické v Praze / Fakulta elektrotechnická  ( IČO: 68407700, org. j.: 21230 )

2004, 2003

 10302 
Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
 10306 
Optics (including laser optics and quantum optics)
 20201 
Electrical and electronic engineering
 20501 
Materials engineering
 21001 
Nano-materials (production and properties)
 21002 
Nano-processes (applications on nano-scale); (biomaterials to be 2.9)
GPP102/11/P824

Název projektu: Balistická elektronová emisní mikroskopie a spektroskopie kvantových InAs teček připravených různými technologiemi, Poskytovatel: GA0 - Grantová agentura České republiky, Hlavní příjemce: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Období řešení projektu: 2011 - 2015

Defect-mediated energy transfer in ZnO thin films doped with rare-earth ions

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: Journal of Luminescence, Rok uplatnění výsledku: 2023

Eco-Friendly Photoactive Foils Based on ZnO/SnO2-PMMA Nanocomposites with High Reuse Potential

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: ACS Applied Polymer Materials, Rok uplatnění výsledku: 2023

Impact of Ag concentration in As-S-Se chalcogenide on physical, topological and resistive switching properties

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: Journal of Non-Crystalline Solids, Rok uplatnění výsledku: 2023

Focused ion beam assisted prototyping of graphene/ZnO devices on Zn-polar and O-polar faces of ZnO bulk crystals

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, Rok uplatnění výsledku: 2022

Chemiresistors Based on Li-Doped CuO-TiO2 Films

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: Chemosensors, Rok uplatnění výsledku: 2021

Synthesis of Cu-Ti thin film multilayers on silicon substrates

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: Bulletin of Materials Science, Rok uplatnění výsledku: 2021

Electrical properties of nanoscale p-n heterojunctions formed between a single ZnO nanorod and GaN substrate

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: Materials Science in Semiconductor Processing, Rok uplatnění výsledku: 2020

Highly Rectifying Heterojunctions Formed by Annealed ZnO Nanorods on GaN Substrates

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: Nanomaterials, Rok uplatnění výsledku: 2020

Multilayered Cu-Ti deposition on silicon substrates for chemiresistor applications

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: Phosphorus, Sulfur and Silicon and the Related Elements, Rok uplatnění výsledku: 2020

Optical and electrical characterization of CuO/ZnO heterojunctions

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: Thin Solid Films, Rok uplatnění výsledku: 2020

Effect of EU doping on the optical properties of ZnO nanorods prepared by chemical bath deposition

Druh výsledku: D - Stať ve sborníku, Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název sborníku: NANOCON 2018 : Conference Proceedings of the International Conference on Nanomaterials - Research & Application /10./, Rok uplatnění výsledku: 2019

Highly Textured Seed Layers for the Growth of Vertically Oriented ZnO Nanorods

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: Crystals, Rok uplatnění výsledku: 2019

Homogeneous Resistive Switching in Individual ZnO Nanorod p-n Junctions

Druh výsledku: D - Stať ve sborníku, Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název sborníku: INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CONFERENCE (CAS 2019), Rok uplatnění výsledku: 2019

Electrical properties of nanoscale heterojunctions formed between GaN and ZnO nanorods

Druh výsledku: D - Stať ve sborníku, Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: GA0 - Grantová agentura České republiky, Název sborníku: 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOMATERIALS - RESEARCH & APPLICATION (NANOCON 2017), Rok uplatnění výsledku: 2018

Optoelectrical characterization of well oriented n-type zno nanorod arrays on p-type GaN templates

Druh výsledku: D - Stať ve sborníku, Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: GA0 - Grantová agentura České republiky, Název sborníku: 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOMATERIALS - RESEARCH & APPLICATION (NANOCON 2017), Rok uplatnění výsledku: 2018

Seed layers for the growth of oriented vertical arrays of ZnO nanorods

Druh výsledku: D - Stať ve sborníku, Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název sborníku: ECS Transactions, Rok uplatnění výsledku: 2018

Anti-reflection and polarizing photonic structures for high-power fiber applications

Druh výsledku: D - Stať ve sborníku, Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: GA0 - Grantová agentura České republiky, Název sborníku: Proceedings of SPIE, Micro-structured and Specialty Optical Fibres V, (vol.10232), Rok uplatnění výsledku: 2017

Fiber facet gratings for high power fiber lasers

Druh výsledku: D - Stať ve sborníku, Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: GA0 - Grantová agentura České republiky, Název sborníku: Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 2017, Rok uplatnění výsledku: 2017

Laser mirrors based on the fibre facet gratings

Druh výsledku: O - Ostatní výsledky, které nelze zařadit do žádného z definovaných druhů výsledků, Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: GA0 - Grantová agentura České republiky, Rok uplatnění výsledku: 2017

High-power fiber laser with a polarizing diffraction grating milled on the facet of an optical fiber

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: Optics Express, Rok uplatnění výsledku: 2016

Room temperature hydrogen sensing with the graphite/ZnO nanorod junctions decorated with Pt nanoparticles

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: Solid-State Electronics, Rok uplatnění výsledku: 2016

Scanning thermal microscopy of Bi2Te3 and Yb0.19Co4Sb12 thermoelectric films

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: Applied Physics A - Materials Science & Processing, Rok uplatnění výsledku: 2016

Scanning thermal microscopy of thermoelectric nanostructures

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: Journal of Electronic Materials, Rok uplatnění výsledku: 2016

Thermoelectric simple and multilayers prepared by laser

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i., Dodavatel: GA0 - Grantová agentura České republiky, Název výsledku: Journal of Materials Science and Chemical Engineering, Rok uplatnění výsledku: 2016

Characterization of laser prepared Bi2Te3 nano-layers

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: Laser Physics, Rok uplatnění výsledku: 2015

Physical properties of Bi2Te3 nanolayers

Druh výsledku: C - Kapitola resp. kapitoly v odborné knize, Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název odborné knihy: Nanoscience Advances in CBRN Agents Detection, Information and Energy Security, Rok uplatnění výsledku: 2015

Scanning thermal microscopy of thermoelectric pulsed laser deposited nanostructures

Druh výsledku: D - Stať ve sborníku, Předkladatel: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název sborníku: NANOCON 2015: 7th International Conference on Nanomaterials - Research and Application, Conference Proceedings, Rok uplatnění výsledku: 2015

Scanning thermal microscopy: characterization of PLD films

Druh výsledku: O - Ostatní výsledky, které nelze zařadit do žádného z definovaných druhů výsledků, Předkladatel: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Rok uplatnění výsledku: 2015

Imaging of dopant distribution in optical fibers with an orthogonal TOF SIMS

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: Surface and Interface Analysis, Rok uplatnění výsledku: 2014

Properties of Thermoelectric Nanocomposite Bi2Te3 Layers Prepared by PLD

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: Sensors and Transducers, Rok uplatnění výsledku: 2014

Structural and photoluminescent properties of low temperature InAs buffer layer grown by MOVPE on GaAs substrates

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: Journal of Crystal Growth, Rok uplatnění výsledku: 2014

Termoelektrické vrstvy připravené pulsní laserovou depozicí

Druh výsledku: D - Stať ve sborníku, Předkladatel: Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název sborníku: Vrstvy a povlaky 2014, Rok uplatnění výsledku: 2014

Thermoelectric properties of nanocomposite Bi2Te3 layers prepared by PLD

Druh výsledku: D - Stať ve sborníku, Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název sborníku: Nanotech 2014, Rok uplatnění výsledku: 2014

Integral and local density of states of InAs quantum dots in GaAs/AlGaAs heterostructure observed by ballistic electron emission spectroscopy near one-electron ground state

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, Rok uplatnění výsledku: 2013

Lattice-mismatched epitaxial growth on porous III-V substrates

Druh výsledku: D - Stať ve sborníku, Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název sborníku: ECS Transactions, Rok uplatnění výsledku: 2013

Properties of thermoelectric Ce0.09Fe0.67Co3.33Sb12/FeSb2Te multi-layered structures prepared by laser ablation

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: Thin Solid Films, Rok uplatnění výsledku: 2013

Direct measurement of quantum levels in InAs/GaAs QDs by BEEM / BEES

Druh výsledku: D - Stať ve sborníku, Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název sborníku: 17th Conference of Czech and Slovak Physicists Proceedings, Rok uplatnění výsledku: 2012

Graphite/n-InP Schottky barrier with electrophoretically deposited Pt nanoparticles for hydrogen and nitrogen-monoxide detection

Druh výsledku: D - Stať ve sborníku, Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název sborníku: NANOCON 2012, 4th International Conference Proceedings, Rok uplatnění výsledku: 2012

Preparation of nanoporous GaAs substrates for epitaxial growth

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: Physica Status Solidi C: Current Topics in Solid State Physics, Rok uplatnění výsledku: 2012

Strain accommodation within porous buffer layers in heteroepitaxial growth

Druh výsledku: D - Stať ve sborníku, Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název sborníku: ASDAM 2012 - Conference Proceedings: The 9th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, Rok uplatnění výsledku: 2012

Preparation of InAs/GaAs quantum dots for BEEM/BEES

Druh výsledku: D - Stať ve sborníku, Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název sborníku: EWMOVPE XIV, Rok uplatnění výsledku: 2011

Electrophoresis deposition of metal nanoparticles with reverse micelles onto InP

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: International Journal of Materials Research, Rok uplatnění výsledku: 2009

Measurement of Electrical Oscillations and Mechanical Vibrations of Yeast Cells Membrane Around 1 kHz

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: Electromagnetic Biology and Medicine, Rok uplatnění výsledku: 2009

Preliminary comparison of ballistic electron emission spectroscopy measurements on InAs quantum dots in a GaAs/AlGaAs heterostructure grown by MBE and MOVPE

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: Microelectronics Journal, Rok uplatnění výsledku: 2009

Ballistic electron emission spectroscopy/microscopy of self-assembled InAs quantum dots of different sizes embedded in GaAs/AlGaAs heterostructure

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: Applied Physics Letters, Rok uplatnění výsledku: 2008

Biophysical aspects of cancer - Electromagnetic mechanism

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: INDIAN JOURNAL OF EXPERIMENTAL BIOLOGY, Rok uplatnění výsledku: 2008

Measurement of electrical and mechanical oscillations of yeast cells membrane in acoustic frequency range

Druh výsledku: D - Stať ve sborníku, Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název sborníku: Proceedings of the 14th Conference on Microwave Techniques: COMITE 2008, Rok uplatnění výsledku: 2008

Study of InAs quantum dots in AlGaAs/GaAs heterostructure by ballistic electron emission microscopy/spectroscopy

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: Applied Physics Letters, Rok uplatnění výsledku: 2007

Thin layers prepared by pulsed laser deposition from Yb0.19Co4Sb12 target

Druh výsledku: D - Stať ve sborníku, Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název sborníku: Proceedings ICT'06, Rok uplatnění výsledku: 2006

Very Thin Layers Prepared By Laser Ablation From Bi2Te3 Target

Druh výsledku: D - Stať ve sborníku, Předkladatel: České vysoké učení technické v Praze - Fakulta elektrotechnická, Dodavatel: MSM - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, Název sborníku: Proceedings of 22nd International Conference on Thermoelectrics, Rok uplatnění výsledku: 2004

Characterization of InAs/AlSb tunneling double barrier heterostructure by ballistic electron emission microscope with InAs as base electrode

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: České vysoké učení technické v Praze - Fakulta elektrotechnická, Dodavatel: MSM - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy, Název výsledku: Physica Status Solidi (c), Rok uplatnění výsledku: 2003

Characterization of InAs/AlSb tunneling double barrier heterostructure by ballistic electron emission microscope with InAs as based electrode

Druh výsledku: D - Stať ve sborníku, Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název sborníku: Proceedings 6th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies - EXMATEC'2002, Rok uplatnění výsledku: 2003

Characterization of InAs/AlSb tunneling double barrier heterostructure by ballistic electron emission microscope with InAs as based electrode.

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: Physica Status Solidi C, Rok uplatnění výsledku: 2003

Modification of Bi 2 Te 3 nanolayers.

Druh výsledku: D - Stať ve sborníku, Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název sborníku: International Conference NANO'03. Proceedings., Rok uplatnění výsledku: 2003

Preliminary balistic electron emission microscopy/spectroscopy characterization of InAs quantum dots in AlGaAs/GaAs heterostructure.

Druh výsledku: D - Stať ve sborníku, Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název sborníku: International Conference NANO'03. Proceedings., Rok uplatnění výsledku: 2003

Some properties of very thin Bi 2 Te 3 layers prepared by laser ablation.

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: Physica Status Solidi C, Rok uplatnění výsledku: 2003

Some properties of very thin Bi2Te3 layers prepared by laser ablation

Druh výsledku: D - Stať ve sborníku, Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název sborníku: Proceedings 6th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies - EXMATEC'2002, Rok uplatnění výsledku: 2003

Very thin layers prepared by laser ablation from Bi2Te3 target

Druh výsledku: D - Stať ve sborníku, Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název sborníku: Proceedfings ICT 2003, Rok uplatnění výsledku: 2003

VT STM investigations of Ag film growth on Bi2Te3./sub

Druh výsledku: D - Stať ve sborníku, Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název sborníku: STM'2003 - 12th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques, Rok uplatnění výsledku: 2003

Characterization and nanometer-scale modifications of Bi 2 Te 3 surface via atomic force mircoscopy.

Druh výsledku: J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost), Předkladatel: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i., Dodavatel: AV0 - Akademie věd České republiky, Název výsledku: Journal of Vacuum Science Technology. B, Rok uplatnění výsledku: 2000

V Rejstříku výzkumných pracovníků jsou zahrnuti všichni výzkumní pracovníci (řešitelé projektů / domácí tvůrci výsledků - tvůrci, kteří výsledku dosáhli v rámci pracovněprávního vztahu k subjektu, který daný výsledek předložil do IS VaVaI), jejichž údaje byly do systému předány od r. 2018 a dále, tj. od zavedení nových vědních oblastí výsledků / projektů dle číselníku oborových skupin OECD (Frascati manual) v IS VaVaI. Pro účely vytvoření obsahu Rejstříku výzkumných pracovníků bylo využito všech dostupných dat tak, jak byly v čase do IS VaVaI předávány. Aktuálně prezentovaný stav informací rejstříku tak může být ovlivněn, např. některými historicky předanými údaji s ohledem na jejich obsah a strukturu (např. chybějící identifikátor vědce - VEDIDK, RČ apod.).

Vyhledávání ...