| Identifikační kód |
RIV/68407700:21670/13:00215514 |
| Název v anglickém jazyce |
3D imaging of radiation damage in silicon sensor and spatial mapping of charge collection efficiency |
| Druh |
J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost) |
| Poddruh |
- |
| Jazyk |
eng - angličtina |
| Obor - skupina |
B - Fyzika a matematika |
| Obor |
BG - Jaderná, atomová a molekulová fyzika, urychlovače |
| Rok uplatnění |
2013 |
| Kód důvěrnosti údajů |
S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů. |
| Počet výskytů výsledku |
5 |
| Počet tvůrců celkem |
6 |
| Počet domácích tvůrců |
4 |
| Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců |
Jan Jakůbek (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 1338226)
Martin Jakůbek (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 7206216)
Michal Platkevič (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 3028038)
Jan Žemlička (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 9594116)
V. Havranek (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
V. Semian (státní příslušnost: CZ - Česká republika) |
| Popis výsledku v anglickém jazyce |
Radiation damage in semiconductor sensors alters the response and degrades the performance of many devices ultimately limiting their stability and lifetime. In semiconductor radiation detectors the homogeneity of charge collection becomes distorted whiledecreasing the overall detection efficiency. Moreover the damage can significantly increase the detector noise and degrade other electrical properties such as leakage current. In this work we present a novel method for 3D mapping of the semiconductor radiation sensor volume allowing displaying the three dimensional distribution of detector properties such as charge collection efficiency and charge diffusion rate. This technique can visualize the spatially localized changes of local detector performanceafter radiation damage. Sensors used were 300 mu m and 1000 mu m thick silicon bump-bonded to a Timepix readout chip which serves as an imaging multichannel microprobe (256 x 256 square pixels with pitch of 55 mu m, i.e. all together 65 |
| Klíčová slova oddělená středníkem |
Charge transport and multiplication in solid media; Radiation damage evaluation methods; Pixelated detectors and associated VLSI electronics; Radiation damage to detector materials |
| Stránka www, na které se nachází výsledek |
http://iopscience.iop.org/1748-0221/8/03/C03023/ |
| DOI výsledku |
https://doi.org/10.1088/1748-0221/8/03/C03023 |
| Odkaz na údaje z výzkumu |
- |