| Identifikační kód |
RIV/68407700:21340/18:00324690 |
| Název v anglickém jazyce |
MAPS sensor for radiation imaging designed in 180 nm SOI CMOS technology |
| Druh |
J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost) |
| Poddruh |
J/A - Článek v odborném periodiku je obsažen v databázi Web of Science společností Thomson Reuters s příznakem „Article“, „Review“ nebo „Letter“ (Jimp) |
| Jazyk |
eng - angličtina |
| Vědní obor |
20201 - Electrical and electronic engineering |
| Rok uplatnění |
2018 |
| Kód důvěrnosti údajů |
S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů. |
| Počet výskytů výsledku |
4 |
| Popis výsledku v anglickém jazyce |
In this work, we present a prototype of the Monolithic Active Pixel Sensor (MAPS) called X-CHIP-02 designed in 180 nm SOI CMOS technology. The selected technology has attractive features for fabrication of X-ray imaging sensors: 100 Ω⋅ cm handle wafer resistivity, thick epitaxial layer to suppress back-gate effect, support of high voltage devices and deep trench isolation. X-CHIP-02 has two pixel matrices with the pixel pitch of 50 μm and 100 μm with integrated 8-bit photon counting circuitry. Fine pitch SOI monolithic pixels imply small capacitance and thus small electronic noise of ~50 e-. Design of the sensor chip and basic radiation imaging capabilities are described in this paper. |
| Klíčová slova oddělená středníkem |
Front-end electronics for detector readout;Pixelated detectors and associated VLSI electronics;X-ray detectors |
| Stránka www, na které se nachází výsledek |
http://iopscience.iop.org/article/10.1088/1748-0221/13/06/C06004 |
| DOI výsledku |
10.1088/1748-0221/13/06/C06004 |
| Odkaz na údaje z výzkumu |
- |