| Identifikační kód |
RIV/68378271:_____/22:00564646 |
| Název v anglickém jazyce |
Dependence of the electronic structure of β-Si6-zAlzOzN8-z on the (Al,O) concentration z and on the temperature |
| Druh |
J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost) |
| Poddruh |
J/A - Článek v odborném periodiku je obsažen v databázi Web of Science společností Thomson Reuters s příznakem „Article“, „Review“ nebo „Letter“ (Jimp) |
| Jazyk |
eng - angličtina |
| Vědní obor |
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) |
| Rok uplatnění |
2022 |
| Kód důvěrnosti údajů |
S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů. |
| Počet výskytů výsledku |
3 |
| Počet tvůrců celkem |
4 |
| Počet domácích tvůrců |
2 |
| Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců |
Ondřej Šipr (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 2876663, orcid: 0000-0003-4669-5402, researcherid: G-6047-2014)
Jiří Vackář (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 2487462, orcid: 0000-0002-4491-6841, researcherid: G-9507-2014)
S.A. Khan (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
J. Minár (státní příslušnost: CZ - Česká republika) |
| Popis výsledku v anglickém jazyce |
β-Si6-zAlzOzN8-z is a prominent example of systems suitable as hosts for creating materials for light-emitting diodes (LEDs). In this work, the electronic structure of a series of semiordered and disordered β-Si6-zAlzOzN8-z systems is investigated by means of ab initio calculations, using the FLAPW and Green function KKR methods. Finite temperature effects are included by averaging over thermodynamic configurations within the alloy analogy model. |
| Klíčová slova oddělená středníkem |
β-Si6-zAlzOzN8-z;LEDs;electronic structure;FLAPW;green function KKR method |
| Stránka www, na které se nachází výsledek |
https://doi.org/10.1002/zaac.202200185 |
| DOI výsledku |
https://doi.org/10.1002/zaac.202200185 |
| Odkaz na údaje z výzkumu |
- |