Jednoduché vyhledávání

Zpět na hledáníDielectric and conducting properties of unintentionally and Sn-doped beta-Ga2O3 studied by terahertz spectroscopy (2020)výskyt výsledku

Identifikační kód	RIV/68378271:_____/20:00538408
Název v anglickém jazyce	Dielectric and conducting properties of unintentionally and Sn-doped beta-Ga2O3 studied by terahertz spectroscopy
Druh	J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost)
Poddruh	J/A - Článek v odborném periodiku je obsažen v databázi Web of Science společností Thomson Reuters s příznakem „Article“, „Review“ nebo „Letter“ (Jimp)
Jazyk	eng - angličtina
Vědní obor	10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Rok uplatnění	2020
Kód důvěrnosti údajů	S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů.
Počet výskytů výsledku	3
Počet tvůrců celkem	6
Počet domácích tvůrců	3
Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců	Filip Kadlec (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 1959050, orcid: 0000-0001-6605-9687, researcherid: G-6338-2014) Christelle Kadlec (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 5666406, orcid: 0000-0003-2820-4462, researcherid: G-7947-2014) Olexandr Romanyuk (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 2061368, researcherid: G-6237-2014) N. Blumenschein (státní příslušnost: US - Spojené státy americké) J.F. Muth (státní příslušnost: US - Spojené státy americké) T. Paskova (státní příslušnost: US - Spojené státy americké)
Popis výsledku v anglickém jazyce	Dielectric and conducting properties of unintentionally doped bulk and Sn-doped thin film β-Ga2O3 samples were studied using time- domain terahertz spectroscopy. The low-temperature spectra of the unintentionally doped sample were fit using a model involving two oscillators. The parameters of one of them show an unusual temperature dependence, in particular, a pronounced increase in the oscillator strength upon heating above 50 K. This is interpreted as an absorption due to thermally activated charge carriers moving in localized potential minima linked to the unintentional doping. Upon heating, the influence of this optical conductivity mechanism strongly increases, and the sample becomes opaque in the THz range near 100 K. The nanocrystalline Sn-doped Ga2 O3 thin film sample exhibits a much higher optical conductivity than the unintentionally doped bulk sample, and its spectra are remarkably stable over a broad temperature range (4–750 K).n
Klíčová slova oddělená středníkem	terahertz spectroscopy,;gallium oxide,;localized charge carriers
Stránka www, na které se nachází výsledek	https://doi.org/10.1063/1.5143735
DOI výsledku	10.1063/1.5143735
Odkaz na údaje z výzkumu	-

Údaje o výsledku v závislosti na druhu výsledku

Název periodika	Journal of Applied Physics
ISSN	0021-8979
e-ISSN	-
Svazek periodika	127
Číslo periodika v rámci uvedeného svazku	16
Stát vydavatele periodika	US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku	8
Strana od-do	1-8
Kód UT WoS článku podle Web of Science	000531818600004
EID výsledku v databázi Scopus	2-s2.0-85092059928
Způsob publikování výsledku	C - Omezený přístup (Restricted Access)
Předpokládaný termín zveřejnění plného textu výsledku	-

Ostatní informace o výsledku

Předkladatel	Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Dodavatel	MSM - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy (MŠMT)
Rok sběru	2021
Specifikace	RIV/68378271:_____/20:00538408!RIV21-MSM-68378271
Datum poslední aktualizace výsledku	05.05.2021
Kontrolní číslo	192264078 ( v1.0 )

Informace o dalších výskytech výsledku dodaného stejným předkladatelem

Dodáno AV ČR v roce 2021	RIV/68378271:_____/20:00538408 v dodávce dat RIV21-AV0-68378271/01:2
Dodáno GA ČR v roce 2021	RIV/68378271:_____/20:00538408 v dodávce dat RIV21-GA0-68378271/01:1

Odkazy na výzkumné aktivity, při jejichž řešení výsledek vznikl

Projekt podporovaný MŠMT v programu EF	EF16_019/0000760 - Fyzika pevných látek pro 21. století (2018 - 2023)