Zpět na hledáníMAPS sensor for radiation imaging designed in 180 nm SOI CMOS technology (2018)výskyt výsledku
Identifikační kód | RIV/68378271:_____/18:00501816 |
---|---|
Název v anglickém jazyce | MAPS sensor for radiation imaging designed in 180 nm SOI CMOS technology |
Druh | J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost) |
Poddruh | J/A - Článek v odborném periodiku je obsažen v databázi Web of Science společností Thomson Reuters s příznakem „Article“, „Review“ nebo „Letter“ (Jimp) |
Jazyk | eng - angličtina |
Vědní obor | 10304 - Nuclear physics |
Rok uplatnění | 2018 |
Kód důvěrnosti údajů | S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů. |
Počet výskytů výsledku | 4 |
Počet tvůrců celkem | 14 |
Počet domácích tvůrců | 1 |
Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců | Jaromír Kopeček (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 3131718, orcid: 0000-0002-9337-4639, researcherid: G-1905-2014) T. Benka (státní příslušnost: CZ - Česká republika) M. Havránek (státní příslušnost: CZ - Česká republika) M. Hejtmanek (státní příslušnost: CZ - Česká republika) Z. Janoška (státní příslušnost: CZ - Česká republika) Z. Kafka (státní příslušnost: CZ - Česká republika) M. Kuklová (státní příslušnost: CZ - Česká republika) M. Marcisovský (státní příslušnost: CZ - Česká republika) M. Marčišovská (státní příslušnost: CZ - Česká republika) G. Neue (státní příslušnost: CZ - Česká republika) P. Svihra (státní příslušnost: CZ - Česká republika) L. Tomášek (státní příslušnost: CZ - Česká republika) P. Vančura (státní příslušnost: CZ - Česká republika) V. Vrba (státní příslušnost: CZ - Česká republika) |
Popis výsledku v anglickém jazyce | In thiswork, we present a prototype of the MonolithicActive Pixel Sensor (MAPS) called X-CHIP-02 designed in 180 nm SOI CMOS technology. The selected technology has attractive features for fabrication of X-ray imaging sensors: 100 Omega.cm handle wafer resistivity, thick epitaxial layer to suppress back-gate effect, support of high voltage devices and deep trench isolation. X-CHIP-02 has two pixel matrices with the pixel pitch of 50 mu m and 100 mu m with integrated 8-bit photon counting circuitry. Fine pitch SOI monolithic pixels imply small capacitance and thus small electronic noise of approximate to 50 e(-). Design of the sensor chip and basic radiation imaging capabilities are described in this paper. |
Klíčová slova oddělená středníkem | active pixel sensor;X-ray detectors |
Stránka www, na které se nachází výsledek | - |
DOI výsledku | 10.1088/1748-0221/13/06/C06004 |
Odkaz na údaje z výzkumu | - |
Údaje o výsledku v závislosti na druhu výsledku
Název periodika | Journal of Instrumentation |
---|---|
ISSN | 1748-0221 |
e-ISSN | - |
Svazek periodika | 13 |
Číslo periodika v rámci uvedeného svazku | 6 |
Stát vydavatele periodika | GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska |
Počet stran výsledku | 10 |
Strana od-do | 1-10 |
Kód UT WoS článku podle Web of Science | 000435599500001 |
EID výsledku v databázi Scopus | 2-s2.0-85049687196 |
Způsob publikování výsledku | - |
Předpokládaný termín zveřejnění plného textu výsledku | - |
Ostatní informace o výsledku
Předkladatel | Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. |
---|---|
Dodavatel | MSM - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy (MŠMT) |
Rok sběru | 2019 |
Specifikace | RIV/68378271:_____/18:00501816!RIV19-MSM-68378271 |
Datum poslední aktualizace výsledku | 15.05.2019 |
Kontrolní číslo | 192103441 ( v1.0 ) |
Informace o dalších výskytech výsledku dodaného stejným předkladatelem
Dodáno AV ČR v roce 2019 | RIV/68378271:_____/18:00501816 v dodávce dat RIV19-AV0-68378271/01:1 |
---|
Informace o dalších výskytech výsledku dodaného ostatními předkladateli
Dodáno MŠMT v roce 2019 | RIV/68407700:21340/18:00324690 v dodávce dat RIV19-MSM-21340___/01:1 předkladatelem České vysoké učení technické v Praze / Fakulta jaderná a fyzikálně inženýrská |
---|---|
Dodáno TA ČR v roce 2019 | RIV/68407700:21340/18:00324690 v dodávce dat RIV19-TA0-21340___/01:2 předkladatelem České vysoké učení technické v Praze / Fakulta jaderná a fyzikálně inženýrská |
Odkazy na výzkumné aktivity, při jejichž řešení výsledek vznikl
Projekt podporovaný MŠMT v programu LM | LM2015058 - Výzkumná infrastruktura pro experimenty v CERN (2016 - 2017) |
---|