Informační systém výzkumu,
vývoje a inovací

Rejstřík informací o výsledcích

Jednoduché vyhledávání

Zpět na hledáníMAPS sensor for radiation imaging designed in 180 nm SOI CMOS technology (2018)výskyt výsledku

Identifikační kód RIV/68378271:_____/18:00501816
Název v anglickém jazyce MAPS sensor for radiation imaging designed in 180 nm SOI CMOS technology
Druh J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost)
Poddruh J/A - Článek v odborném periodiku je obsažen v databázi Web of Science společností Thomson Reuters s příznakem „Article“, „Review“ nebo „Letter“ (Jimp)
Jazyk eng - angličtina
Vědní obor 10304 - Nuclear physics
Rok uplatnění 2018
Kód důvěrnosti údajů S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů.
Počet výskytů výsledku 4
Počet tvůrců celkem 14
Počet domácích tvůrců 1
Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců Jaromír Kopeček (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 3131718, orcid: 0000-0002-9337-4639, researcherid: G-1905-2014)
T. Benka (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
M. Havránek (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
M. Hejtmanek (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
Z. Janoška (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
Z. Kafka (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
M. Kuklová (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
M. Marcisovský (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
M. Marčišovská (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
G. Neue (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
P. Svihra (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
L. Tomášek (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
P. Vančura (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
V. Vrba (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
Popis výsledku v anglickém jazyce In thiswork, we present a prototype of the MonolithicActive Pixel Sensor (MAPS) called X-CHIP-02 designed in 180 nm SOI CMOS technology. The selected technology has attractive features for fabrication of X-ray imaging sensors: 100 Omega.cm handle wafer resistivity, thick epitaxial layer to suppress back-gate effect, support of high voltage devices and deep trench isolation. X-CHIP-02 has two pixel matrices with the pixel pitch of 50 mu m and 100 mu m with integrated 8-bit photon counting circuitry. Fine pitch SOI monolithic pixels imply small capacitance and thus small electronic noise of approximate to 50 e(-). Design of the sensor chip and basic radiation imaging capabilities are described in this paper.
Klíčová slova oddělená středníkem active pixel sensor;X-ray detectors
Stránka www, na které se nachází výsledek -
DOI výsledku 10.1088/1748-0221/13/06/C06004
Odkaz na údaje z výzkumu -

Údaje o výsledku v závislosti na druhu výsledku

Název periodika Journal of Instrumentation
ISSN 1748-0221
e-ISSN -
Svazek periodika 13
Číslo periodika v rámci uvedeného svazku 6
Stát vydavatele periodika GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku 10
Strana od-do 1-10
Kód UT WoS článku podle Web of Science 000435599500001
EID výsledku v databázi Scopus 2-s2.0-85049687196
Způsob publikování výsledku -
Předpokládaný termín zveřejnění plného textu výsledku -

Ostatní informace o výsledku

Předkladatel Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Dodavatel MSM - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy (MŠMT)
Rok sběru 2019
Specifikace RIV/68378271:_____/18:00501816!RIV19-MSM-68378271
Datum poslední aktualizace výsledku 15.05.2019
Kontrolní číslo 192103441 ( v1.0 )

Informace o dalších výskytech výsledku dodaného stejným předkladatelem

Dodáno AV ČR v roce 2019 RIV/68378271:_____/18:00501816 v dodávce dat RIV19-AV0-68378271/01:1

Informace o dalších výskytech výsledku dodaného ostatními předkladateli

Dodáno MŠMT v roce 2019 RIV/68407700:21340/18:00324690 v dodávce dat RIV19-MSM-21340___/01:1 předkladatelem České vysoké učení technické v Praze / Fakulta jaderná a fyzikálně inženýrská
Dodáno TA ČR v roce 2019 RIV/68407700:21340/18:00324690 v dodávce dat RIV19-TA0-21340___/01:2 předkladatelem České vysoké učení technické v Praze / Fakulta jaderná a fyzikálně inženýrská

Odkazy na výzkumné aktivity, při jejichž řešení výsledek vznikl

Projekt podporovaný MŠMT v programu LM LM2015058 - Výzkumná infrastruktura pro experimenty v CERN (2016 - 2017)
Vyhledávání ...