Zpět na hledáníDamage accumulation and structural modification in c-plane and a-plane GaN implanted with 400 keV Kr and Gd ions (2018)výskyt výsledku
| Identifikační kód | RIV/61389005:_____/18:00497102 |
|---|---|
| Název v anglickém jazyce | Damage accumulation and structural modification in c-plane and a-plane GaN implanted with 400 keV Kr and Gd ions |
| Druh | J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost) |
| Poddruh | J/A - Článek v odborném periodiku je obsažen v databázi Web of Science společností Thomson Reuters s příznakem „Article“, „Review“ nebo „Letter“ (Jimp) |
| Jazyk | eng - angličtina |
| Vědní obor | 10304 - Nuclear physics |
| Rok uplatnění | 2018 |
| Kód důvěrnosti údajů | S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů. |
| Počet výskytů výsledku | 5 |
| Počet tvůrců celkem | 9 |
| Počet domácích tvůrců | 3 |
| Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců | Adéla Jagerová (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 5774872) Anna Macková (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 5985498, researcherid: G-8536-2014) Petr Malinský (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 2200554, researcherid: G-9878-2014) S. Akhmadaliev (státní příslušnost: DE - Spolková republika Německo) R. Bottger (státní příslušnost: DE - Spolková republika Německo) K. Klímová (státní příslušnost: CZ - Česká republika) M. Mikulics (státní příslušnost: DE - Spolková republika Německo) D. Sedmidubský (státní příslušnost: CZ - Česká republika) Z. Sofer (státní příslušnost: CZ - Česká republika) |
| Popis výsledku v anglickém jazyce | GaN is the most actively studied wide-bandgap material, applicable e.g. in short-wavelength optoelectronic devices, high-electron-mobility transistors, and semiconductor lasers. The crystallographic orientation of an implanted crystal can significantly influence the optical properties of the implanted layer, reflecting the rearrangement of the crystal matrix after annealing. The annealing procedure, influencing dynamic recovery, point defect diffusion and large defect stabilisation, depending on the GaN crystal orientation and the used ion implantation parameters, is still an important issue to be studied. We have studied the structural and compositional changes of the GaN-epitaxial-layers of c-plane and a-plane orientations grown by MOVPE and implanted with Gd and Kr ions using the ion energy of 400 keV and ion fluences of 5 x 10(14) cm(-2), 1 x 10(15) cm(-2) and 5 x 10(15) cm(-2) with subsequent annealing at 800 degrees C in ammonia. Dopant depth profiling was accomplished by Rutherford backscattering spectrometry (RBS). Induced structure disorder and its recovery during subsequent annealing were characterised by RBS channelling and Raman spectroscopy. Ion-implanted c-plane and a-plane GaN exhibit significant differences in damage accumulation simultaneously with post-implantation annealing, inducing a different structural reorganization of the GaN structure in the buried layer depending on the introduced disorder level, i.e. depending on the ion-implantation fluence and ion mass. |
| Klíčová slova oddělená středníkem | GaN damage accumulation;structure modification in c-plane and a-plane;GaN;RBS channeling studies of implanted GaN |
| Stránka www, na které se nachází výsledek | - |
| DOI výsledku | 10.1016/j.surfcoat.2018.02.097 |
| Odkaz na údaje z výzkumu | - |
Údaje o výsledku v závislosti na druhu výsledku
| Název periodika | Surface and Coatings Technology |
|---|---|
| ISSN | 0257-8972 |
| e-ISSN | - |
| Svazek periodika | 355 |
| Číslo periodika v rámci uvedeného svazku | SI |
| Stát vydavatele periodika | CH - Švýcarská konfederace |
| Počet stran výsledku | 7 |
| Strana od-do | 22-28 |
| Kód UT WoS článku podle Web of Science | 000449896800006 |
| EID výsledku v databázi Scopus | 2-s2.0-85042634118 |
| Způsob publikování výsledku | - |
| Předpokládaný termín zveřejnění plného textu výsledku | - |
Ostatní informace o výsledku
| Předkladatel | Ústav jaderné fyziky AV ČR, v. v. i. |
|---|---|
| Dodavatel | MSM - Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy (MŠMT) |
| Rok sběru | 2019 |
| Specifikace | RIV/61389005:_____/18:00497102!RIV19-MSM-61389005 |
| Datum poslední aktualizace výsledku | 15.05.2019 |
| Kontrolní číslo | 192102637 ( v1.0 ) |
Informace o dalších výskytech výsledku dodaného stejným předkladatelem
| Dodáno GA ČR v roce 2019 | RIV/61389005:_____/18:00497102 v dodávce dat RIV19-GA0-61389005/01:2 |
|---|---|
| Dodáno AV ČR v roce 2019 | RIV/61389005:_____/18:00497102 v dodávce dat RIV19-AV0-61389005/01:1 |
Informace o dalších výskytech výsledku dodaného ostatními předkladateli
| Dodáno GA ČR v roce 2019 | RIV/60461373:22310/18:43915726 v dodávce dat RIV19-GA0-22310___/01:1 předkladatelem Vysoká škola chemicko-technologická v Praze / Fakulta chemické technologie |
|---|---|
| Dodáno MŠMT v roce 2019 | RIV/44555601:13440/18:43893891 v dodávce dat RIV19-MSM-13440___/01:1 předkladatelem Univerzita Jana Evangelisty Purkyně v Ústí nad Labem / Přírodovědecká fakulta |
Odkazy na výzkumné aktivity, při jejichž řešení výsledek vznikl
| Projekt podporovaný MŠMT v programu EF | EF16_013/0001812 - Centrum urychlovačů a jaderných analytických metod - OP (2017 - 2019) |
|---|---|
| Projekt podporovaný MŠMT v programu LM | LM2015056 - Centrum urychlovačů a jaderných analytických metod (2016 - 2017) |