Zpět na hledáníGallium Nitride Thin Films Containing Rare Earth Ions Fabricated by Magnetron Sputtering (2005)výskyt výsledku
Identifikační kód | RIV/61389005:_____/05:00030825 |
---|---|
Název v anglickém jazyce | Gallium Nitride Thin Films Containing Rare Earth Ions Fabricated by Magnetron Sputtering |
Druh | D - Stať ve sborníku |
Jazyk | eng - angličtina |
Obor - skupina | B - Fyzika a matematika |
Obor | BG - Jaderná, atomová a molekulová fyzika, urychlovače |
Rok uplatnění | 2005 |
Kód důvěrnosti údajů | S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů. |
Počet výskytů výsledku | 4 |
Počet tvůrců celkem | 8 |
Počet domácích tvůrců | 2 |
Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců | Vladimír Havránek (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 3272591) Vratislav Peřina (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 9699414) J. Hamáček (státní příslušnost: CZ - Česká republika) I. Huttel (státní příslušnost: CZ - Česká republika) V. Machovič (státní příslušnost: CZ - Česká republika) J. Oswald (státní příslušnost: CZ - Česká republika) V. Prajzler (státní příslušnost: CZ - Česká republika) J. Špirková (státní příslušnost: CZ - Česká republika) |
Popis výsledku v anglickém jazyce | We report about fabrication and properties of the Rare Earth (RE) ions doped Gallium Nitride (GaN) thin films. The GaN thin films containing RE ions were deposited by magnetron sputtering. For the deposition we used gallium, gallium nitride or gallium oxide targets and argon + nitrogen gas mixture atmosphere. For the RE doping into the gallium nitride films, the RE oxide pellets, or RE powders were laid on the top of the used target. The results of the experiments were evaluated in the terms of the relations between the technology/precursors approaches and the composition and luminescence properties of the fabricated RE doped GaN layers. |
Klíčová slova oddělená středníkem | gallium nitride; thin films |
Stránka www, na které se nachází výsledek | - |
DOI výsledku | - |
Odkaz na údaje z výzkumu | - |
Údaje o výsledku v závislosti na druhu výsledku
Název sborníku | Conference Proceedings Book |
---|---|
ISBN | 973-713-065-0 |
ISSN | - |
e-ISSN | - |
Počet stran výsledku | 2 |
Strana od-do | 202-204 |
Název nakladatele | MEDIAMIRA, Cluj-Napoca |
Místo vydání | University of Aveiro |
Místo konání akce | Aveiro |
Datum konání akce | 07.09.2005 |
Typ akce podle státní příslušnosti účastníků | WRD - Celosvětová |
Kód UT WoS článku podle Web of Science | - |
EID výsledku v databázi Scopus | - |
Ostatní informace o výsledku
Předkladatel | Ústav jaderné fyziky AV ČR, v. v. i. |
---|---|
Dodavatel | GA0 - Grantová agentura České republiky (GA ČR) |
Rok sběru | 2006 |
Specifikace | RIV/61389005:_____/05:00030825!RIV06-GA0-61389005 |
Datum poslední aktualizace výsledku | 14.08.2009 |
Kontrolní číslo | 10250228 |
Informace o dalších výskytech výsledku dodaného stejným předkladatelem
Dodáno AV ČR v roce 2006 | RIV/61389005:_____/05:00030825 v dodávce dat RIV06-AV0-61389005/06:6 |
---|
Informace o dalších výskytech výsledku dodaného ostatními předkladateli
Dodáno GA ČR v roce 2006 | RIV/68407700:21230/05:03109606 v dodávce dat RIV06-GA0-21230___/02:2 předkladatelem České vysoké učení technické v Praze / Fakulta elektrotechnická |
---|---|
Dodáno MŠMT v roce 2006 | RIV/68407700:21230/05:03109606 v dodávce dat RIV06-MSM-21230___/02:2 předkladatelem České vysoké učení technické v Praze / Fakulta elektrotechnická |
Odkazy na výzkumné aktivity, při jejichž řešení výsledek vznikl
Projekt podporovaný GA ČR v programu GA | GA104/03/0385 - Nové technologické postupy přípravy optických vrstev na bázi uhlíku a organických látek pro aktivní struktury integrované optiky (2003 - 2005) |
---|---|
Projekt podporovaný GA ČR v programu GA | GA104/03/0387 - Chemické aspekty přípravy tenkých vrstev nitridů 3. podskupiny ve vztahu k aplikacím v elektronice (2003 - 2005) |