| Identifikační kód |
RIV/44555601:13440/17:43892826 |
| Název v anglickém jazyce |
Laser ion implantation of Ge in SiO2 using a post-ion acceleration system |
| Druh |
J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost) |
| Poddruh |
J/A - Článek v odborném periodiku je obsažen v databázi Web of Science společností Thomson Reuters s příznakem „Article“, „Review“ nebo „Letter“ (Jimp) |
| Jazyk |
eng - angličtina |
| Vědní obor |
10301 - Atomic, molecular and chemical physics (physics of atoms and molecules including collision, interaction with radiation, magnetic resonances, Mössbauer effect) |
| Rok uplatnění |
2017 |
| Kód důvěrnosti údajů |
S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů. |
| Počet výskytů výsledku |
4 |
| Počet tvůrců celkem |
4 |
| Počet domácích tvůrců |
1 |
| Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců |
Anna Macková (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 5985498)
M. Cutroneo (státní příslušnost: IT - Italská republika)
V. Lavrentiev (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
L. Torrisi (státní příslušnost: IT - Italská republika) |
| Popis výsledku v anglickém jazyce |
This work reports a comparative study of laser ion implantation mainly performed at the Nuclear Physics Institute in Rez (Czech Republic), National Institute of Nuclear Physics (Italy), and the Plasma Physics Laboratory at the University of Messina (Italy) using different approaches. Thick metallic targets were irradiated in vacuum by a focused laser beam to generate plasma-producing multi-energy and multi-species ions. A post-acceleration system was employed in order to increase the energy of the produced ions and to generate ion beams suitable to be implanted in different substrates. The ion dose was controlled by the laser repetition rate and the time of irradiation. Rutherford backscattering analysis was carried out to evaluate the integral amount of implanted ion species, the concentration-depth profiles, the ion penetration depth, and the uniformity of depth profiles for ions laser implanted into monocrystalline substrates. The laser implantation under normal conditions and in post-acceleration configuration will be discussed on the basis of the characterization of the implanted substrates. |
| Klíčová slova oddělená středníkem |
Post-acceleration;Laser ion implantation |
| Stránka www, na které se nachází výsledek |
https://www.cambridge.org/core/journals/laser-and-particle-beams/article/laser-ion-implantation-of-ge-in-sio2-using-a-postion-acceleration-system/95371CB6E5015BD6FE3504F339B252E3/core-reader |
| DOI výsledku |
https://doi.org/10.1017/S0263034616000860 |
| Odkaz na údaje z výzkumu |
- |