Zpět na hledání
| Identifikační kód | RIV/68378271:_____/23:00574604 |
|---|---|
| Název v anglickém jazyce | O-band TE- and TM-mode densely packed adiabatically bent waveguide arrays on the silicon-on-insulator platform |
| Druh | J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost) |
| Poddruh | J/A - Článek v odborném periodiku je obsažen v databázi Web of Science společností Thomson Reuters s příznakem „Article“, „Review“ nebo „Letter“ (Jimp) |
| Jazyk | eng - angličtina |
| Vědní obor | 10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) |
| Rok uplatnění | 2023 |
| Kód důvěrnosti údajů | S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů. |
| Počet výskytů výsledku | 1 |
| Počet tvůrců celkem | 5 |
| Počet domácích tvůrců | 1 |
| Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců | Mauro Fernandes Pereira (státní příslušnost: PT - Portugalská republika, domácí tvůrce: A, orcid: 0000-0002-2276-2095) B. Paredes (státní příslušnost: AE - Spojené arabské emiráty) M. Rasras (státní příslušnost: AE - Spojené arabské emiráty) J. Villegas (státní příslušnost: AE - Spojené arabské emiráty) H. Zafar (státní příslušnost: AE - Spojené arabské emiráty) |
| Popis výsledku v anglickém jazyce | An efficient, dual-polarization silicon waveguide array with low insertion losses and negligible crosstalks for both TE and TM polarizations has been reported using S-shaped adiabatically bent waveguides. Simulation results for a single S-shaped bend show an insertion loss (IL) of ≤ 0.03 dB and ≤ 0.1 dB for the TE and TM polarizations, respectively, and TE and TM crosstalk values in the first neighboring waveguides at either side of the input waveguide are lower than −39 dB and −24 dB, respectively, over the wavelength range of 1.24 µm to 1.38 µm. The bent waveguide arrays exhibit a measured average TE IL of ≈ 0.1 dB, measured TE crosstalks in the first neighboring waveguides are ≤ −35 dB, at the 1310 nm communication wavelength. The proposed bent array can be made by using multiple cascaded S-shaped bends to transmit signals to all optical components in integrated chips. |
| Klíčová slova oddělená středníkem | dual-polarization silicon;adiabatically;silicon |
| Stránka www, na které se nachází výsledek | https://hdl.handle.net/11104/0349663 |
| DOI výsledku | 10.1364/OE.493077 |
| Odkaz na údaje z výzkumu | - |
Údaje o výsledku v závislosti na druhu výsledku
| Název periodika | Optics Express |
|---|---|
| ISSN | 1094-4087 |
| e-ISSN | - |
| Svazek periodika | 31 |
| Číslo periodika v rámci uvedeného svazku | 13 |
| Stát vydavatele periodika | US - Spojené státy americké |
| Počet stran výsledku | 10 |
| Strana od-do | 21389-21398 |
| Kód UT WoS článku podle Web of Science | 001026322200001 |
| EID výsledku v databázi Scopus | 2-s2.0-85163601793 |
| Způsob publikování výsledku | A - Open Access |
| Předpokládaný termín zveřejnění plného textu výsledku | - |
Ostatní informace o výsledku
| Předkladatel | Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. |
|---|---|
| Dodavatel | AV0 - Akademie věd České republiky (AV ČR ) |
| Rok sběru | 2024 |
| Specifikace | RIV/68378271:_____/23:00574604!RIV24-AV0-68378271 |
| Datum poslední aktualizace výsledku | 16.04.2024 |
| Kontrolní číslo | 192503605 ( v1.0 ) |
Odkazy na výzkumné aktivity, při jejichž řešení výsledek vznikl
| Podpora / návaznosti | Institucionální podpora na rozvoj výzkumné organizace |
|---|