Identifikační kód |
RIV/68378271:_____/18:00494130 |
Název v anglickém jazyce |
EPR study of porous Si:C and SiO2:C layers |
Druh |
J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost) |
Poddruh |
J/A - Článek v odborném periodiku je obsažen v databázi Web of Science společností Thomson Reuters s příznakem „Article“, „Review“ nebo „Letter“ (Jimp) |
Jazyk |
eng - angličtina |
Vědní obor |
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.) |
Rok uplatnění |
2018 |
Kód důvěrnosti údajů |
S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů. |
Počet výskytů výsledku |
2 |
Počet tvůrců celkem |
5 |
Počet domácích tvůrců |
1 |
Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců |
Dariia Savchenko (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 2125587, orcid: 0000-0002-0005-0732, researcherid: D-8476-2012) E. Kalabukhova (státní příslušnost: UA - Ukrajina) S. Muto (státní příslušnost: JP - Japonsko) A. Nazarov (státní příslušnost: UA - Ukrajina) A. Vasin (státní příslušnost: UA - Ukrajina) |
Popis výsledku v anglickém jazyce |
Initial porous silicon (por-Si), carbonized porous silicon (por-Si:C), and carbon-incorporated porous silicon oxide (por-SiO2:C) layers are studied by electron paramagnetic resonance (EPR) at T¼10–13 K. Scanning transmission electron microscopy and electron energy loss (EEL) spectroscopy show that por-Si:C and por-SiO2:C layers have a highly disordered structure with mixing sp2 and sp3 C─C bonds. In the por-SiO2:C layers, the peak of the oxygen bonded to carbon in the form of hydroxyl groups is found in the EEL spectrum of the C K-edge region. Low-intensity signals of Lorentzian lineshape are detected in the EPR spectrum of por-Si, por-Si:C, por-SiO2:C layers. |
Klíčová slova oddělená středníkem |
electron paramagnetic resonance;interface defects;porous silicon;Si:C layers;SiO2:C layers |
Stránka www, na které se nachází výsledek |
- |
DOI výsledku |
10.1002/pssb.201700559 |
Odkaz na údaje z výzkumu |
- |