Informační systém výzkumu,
vývoje a inovací

Rejstřík informací o výsledcích

Jednoduché vyhledávání

Zpět na hledáníCombining ray tracing with device modeling to evaluate experiments for an optical analysis of crystalline Si solar cells and modules (2017)výskyt výsledku

Identifikační kód RIV/68378271:_____/17:00487360
Název v anglickém jazyce Combining ray tracing with device modeling to evaluate experiments for an optical analysis of crystalline Si solar cells and modules
Druh D - Stať ve sborníku
Jazyk eng - angličtina
Vědní obor 10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)
Rok uplatnění 2017
Kód důvěrnosti údajů S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů.
Počet výskytů výsledku 1
Počet tvůrců celkem 11
Počet domácích tvůrců 1
Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců Jakub Holovský (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 8660565, researcherid: H-3097-2014)
M. Abbott (státní příslušnost: AU - Austrálie)
P.P. Altermatt (státní příslušnost: CN - Čínská lidová republika)
W. Deng (státní příslušnost: CN - Čínská lidová republika)
Z. Feng (státní příslušnost: CN - Čínská lidová republika)
R. Liu (státní příslušnost: CN - Čínská lidová republika)
R. McIntosh (státní příslušnost: AU - Austrálie)
B. Sudbury (státní příslušnost: AU - Austrálie)
P.J. Verlinden (státní příslušnost: CN - Čínská lidová republika)
Y. Yang (státní příslušnost: CN - Čínská lidová republika)
F. Ye (státní příslušnost: CN - Čínská lidová republika)
Popis výsledku v anglickém jazyce This paper develops a procedure to analyse the optical losses of both crystalline Si cells in air and of modules. We evaluate EQE and reflectance (R) measurements on the cell, and R measurements of the module by combining ray tracer from PV Lighthouse with Sentaurus device modeling. The IQE is the product of absorptance in Si due to e-h pair generation and their collection efficiency. With Sentaurus device modeling of our PERC cells, we can model collection to high precision and compute the IQE. The experiments agree well with modeling and we gain insight into the electric properties of the emitter in unprecedented detail. In the module, we reproduce the R measurements with the ray tracer and obtain R at the backsheet and the ribbon by iteration and evaluate their Lambertian factor by consistency. The ray tracing model, based on these measurements and with the achieved consistencies, then gives us an optical loss analysis of all parts of the cell and module.n
Klíčová slova oddělená středníkem ray tracing;device simulation;crystalline Si solar cells;loss analysis
Stránka www, na které se nachází výsledek -
DOI výsledku 10.1016/j.egypro.2017.09.269
Odkaz na údaje z výzkumu -

Údaje o výsledku v závislosti na druhu výsledku

Název sborníku Energy Procedia. Proceedings of International Conference on Silicon Photovoltaics /7./
ISBN -
ISSN 1876-6102
e-ISSN -
Počet stran výsledku 10
Strana od-do 240-249
Název nakladatele Elsevier Ltd
Místo vydání Amsterdam
Místo konání akce Freiburg
Datum konání akce 03.04.2017
Typ akce podle státní příslušnosti účastníků WRD - Celosvětová
Kód UT WoS článku podle Web of Science -
EID výsledku v databázi Scopus 2-s2.0-85031913745

Ostatní informace o výsledku

Předkladatel Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
Dodavatel AV0 - Akademie věd České republiky (AV ČR )
Rok sběru 2018
Specifikace RIV/68378271:_____/17:00487360!RIV18-AV0-68378271
Datum poslední aktualizace výsledku 04.05.2018
Kontrolní číslo 191981148 ( v1.0 )

Odkazy na výzkumné aktivity, při jejichž řešení výsledek vznikl

Podpora / návaznosti Institucionální podpora na rozvoj výzkumné organizace
Vyhledávání ...