Zpět na hledáníCombining ray tracing with device modeling to evaluate experiments for an optical analysis of crystalline Si solar cells and modules (2017)výskyt výsledku
Identifikační kód | RIV/68378271:_____/17:00487360 |
---|---|
Název v anglickém jazyce | Combining ray tracing with device modeling to evaluate experiments for an optical analysis of crystalline Si solar cells and modules |
Druh | D - Stať ve sborníku |
Jazyk | eng - angličtina |
Vědní obor | 10306 - Optics (including laser optics and quantum optics) |
Rok uplatnění | 2017 |
Kód důvěrnosti údajů | S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů. |
Počet výskytů výsledku | 1 |
Počet tvůrců celkem | 11 |
Počet domácích tvůrců | 1 |
Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců | Jakub Holovský (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 8660565, researcherid: H-3097-2014) M. Abbott (státní příslušnost: AU - Austrálie) P.P. Altermatt (státní příslušnost: CN - Čínská lidová republika) W. Deng (státní příslušnost: CN - Čínská lidová republika) Z. Feng (státní příslušnost: CN - Čínská lidová republika) R. Liu (státní příslušnost: CN - Čínská lidová republika) R. McIntosh (státní příslušnost: AU - Austrálie) B. Sudbury (státní příslušnost: AU - Austrálie) P.J. Verlinden (státní příslušnost: CN - Čínská lidová republika) Y. Yang (státní příslušnost: CN - Čínská lidová republika) F. Ye (státní příslušnost: CN - Čínská lidová republika) |
Popis výsledku v anglickém jazyce | This paper develops a procedure to analyse the optical losses of both crystalline Si cells in air and of modules. We evaluate EQE and reflectance (R) measurements on the cell, and R measurements of the module by combining ray tracer from PV Lighthouse with Sentaurus device modeling. The IQE is the product of absorptance in Si due to e-h pair generation and their collection efficiency. With Sentaurus device modeling of our PERC cells, we can model collection to high precision and compute the IQE. The experiments agree well with modeling and we gain insight into the electric properties of the emitter in unprecedented detail. In the module, we reproduce the R measurements with the ray tracer and obtain R at the backsheet and the ribbon by iteration and evaluate their Lambertian factor by consistency. The ray tracing model, based on these measurements and with the achieved consistencies, then gives us an optical loss analysis of all parts of the cell and module.n |
Klíčová slova oddělená středníkem | ray tracing;device simulation;crystalline Si solar cells;loss analysis |
Stránka www, na které se nachází výsledek | - |
DOI výsledku | 10.1016/j.egypro.2017.09.269 |
Odkaz na údaje z výzkumu | - |
Údaje o výsledku v závislosti na druhu výsledku
Název sborníku | Energy Procedia. Proceedings of International Conference on Silicon Photovoltaics /7./ |
---|---|
ISBN | - |
ISSN | 1876-6102 |
e-ISSN | - |
Počet stran výsledku | 10 |
Strana od-do | 240-249 |
Název nakladatele | Elsevier Ltd |
Místo vydání | Amsterdam |
Místo konání akce | Freiburg |
Datum konání akce | 03.04.2017 |
Typ akce podle státní příslušnosti účastníků | WRD - Celosvětová |
Kód UT WoS článku podle Web of Science | - |
EID výsledku v databázi Scopus | 2-s2.0-85031913745 |
Ostatní informace o výsledku
Předkladatel | Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. |
---|---|
Dodavatel | AV0 - Akademie věd České republiky (AV ČR ) |
Rok sběru | 2018 |
Specifikace | RIV/68378271:_____/17:00487360!RIV18-AV0-68378271 |
Datum poslední aktualizace výsledku | 04.05.2018 |
Kontrolní číslo | 191981148 ( v1.0 ) |
Odkazy na výzkumné aktivity, při jejichž řešení výsledek vznikl
Podpora / návaznosti | Institucionální podpora na rozvoj výzkumné organizace |
---|