Zpět na hledáníEPR study of the nitrogen containing defect center created in selfassembled 6H SiC nanostructure (2013)výskyt výsledku
| Identifikační kód | RIV/68378271:_____/13:00396199 |
|---|---|
| Název v anglickém jazyce | EPR study of the nitrogen containing defect center created in selfassembled 6H SiC nanostructure |
| Druh | D - Stať ve sborníku |
| Jazyk | eng - angličtina |
| Obor - skupina | B - Fyzika a matematika |
| Obor | BM - Fyzika pevných látek a magnetismus |
| Rok uplatnění | 2013 |
| Kód důvěrnosti údajů | S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů. |
| Počet výskytů výsledku | 1 |
| Počet tvůrců celkem | 6 |
| Počet domácích tvůrců | 1 |
| Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců | Dariia Savchenko (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 2125587) N. Bagraev (státní příslušnost: RU - Ruská federace) E. N. Kalabukhova (státní příslušnost: UA - Ukrajina) L. Klyachkin (státní příslušnost: RU - Ruská federace) A. Malyarenko (státní příslušnost: RU - Ruská federace) B. D. Shanina (státní příslušnost: UA - Ukrajina) |
| Popis výsledku v anglickém jazyce | Triplet center with spin state S = 1 is detected in the EPR spectrum of the self-assembled 6H SiC nanostructure obtained by non-equilibrium boron diffusion into the n-type 6H SiC epitaxial layer (EL) under conditions of the controlled injection of the silicon vacancies at the temperature of T = 9000C. From the analysis of the angular dependences of the EPR spectrum and the numerical diagonalization of the spin Hamiltonian, the value of the zero-field splitting constant D and g-factor are found to be D =114010-4 cm-1 and g|| = 1.9700, g(perpendicular to) = 1.9964. Based on the hyperfine (hf) structure of the defect originating from the hf interaction with one 14N nuclei, the large value of the zero-field splitting constant D and technological conditions of the boron diffusion into the n-type 6H SiC EL, the triplet center is tentatively assigned to the defect center consisting of nitrogen atom and silicon vacancy. |
| Klíčová slova oddělená středníkem | VSiNC pair; self-assembled 6H SiC nanostructure; EPR |
| Stránka www, na které se nachází výsledek | - |
| DOI výsledku | 10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.389 |
| Odkaz na údaje z výzkumu | - |
Údaje o výsledku v závislosti na druhu výsledku
| Název sborníku | Silicon Carbide and Related Materials 2012 |
|---|---|
| ISBN | - |
| ISSN | 0255-5476 |
| e-ISSN | - |
| Počet stran výsledku | 4 |
| Strana od-do | 389-392 |
| Název nakladatele | Trans Tech Publications Ltd |
| Místo vydání | Zurich |
| Místo konání akce | St Petersburg |
| Datum konání akce | 02.09.2012 |
| Typ akce podle státní příslušnosti účastníků | WRD - Celosvětová |
| Kód UT WoS článku podle Web of Science | 000319785500091 |
| EID výsledku v databázi Scopus | - |
Ostatní informace o výsledku
| Předkladatel | Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i. |
|---|---|
| Dodavatel | AV0 - Akademie věd České republiky (AV ČR ) |
| Rok sběru | 2014 |
| Specifikace | RIV/68378271:_____/13:00396199!RIV14-AV0-68378271 |
| Datum poslední aktualizace výsledku | 01.09.2014 |
| Kontrolní číslo | 56348494 |
Odkazy na výzkumné aktivity, při jejichž řešení výsledek vznikl
| Podpora / návaznosti | Institucionální podpora na rozvoj výzkumné organizace |
|---|