| Identifikační kód |
RIV/68378271:_____/10:00349214 |
| Název v anglickém jazyce |
Ab initio study of one-dimensional disorder on III-V semiconductor surfaces |
| Druh |
J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost) |
| Poddruh |
- |
| Jazyk |
eng - angličtina |
| Obor - skupina |
B - Fyzika a matematika |
| Obor |
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus |
| Rok uplatnění |
2010 |
| Kód důvěrnosti údajů |
S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů. |
| Počet výskytů výsledku |
1 |
| Počet tvůrců celkem |
3 |
| Počet domácích tvůrců |
1 |
| Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců |
Olexandr Romanyuk (státní příslušnost: DE - Spolková republika Německo, domácí tvůrce: A)
W. Braun (státní příslušnost: DE - Spolková republika Německo)
F. Grosse (státní příslušnost: DE - Spolková republika Německo) |
| Popis výsledku v anglickém jazyce |
Atomic disorder on GaSb(001) and GaAs(001) surfaces is studied by ab initio calculations within density functional theory (DFT). Surface energies are computed for GaSb(001)and GaAs(001) reconstructions. Deviations in bond lengths due to disorder with respect to the ordered ground state phases are calculated. |
| Klíčová slova oddělená středníkem |
atomic disorder; ab initio; semiconductor; reconstruction |
| Stránka www, na které se nachází výsledek |
- |
| Odkaz na údaje z výzkumu |
- |