Informační systém výzkumu,
vývoje a inovací

Rejstřík informací o výsledcích

Jednoduché vyhledávání

Zpět na hledáníOxygen precipitation studied by x-ray diffraction techniques (2011)výskyt výsledku

Identifikační kód RIV/68081723:_____/11:00362811
Název v anglickém jazyce Oxygen precipitation studied by x-ray diffraction techniques
Druh J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost)
Poddruh -
Jazyk eng - angličtina
Obor - skupina B - Fyzika a matematika
Obor BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Rok uplatnění 2011
Kód důvěrnosti údajů S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů.
Počet výskytů výsledku 4
Počet tvůrců celkem 6
Počet domácích tvůrců 2
Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců Jiří Buršík (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 6334008)
Milan Svoboda (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 8093326)
S. Bernatová (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
O. Caha (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
M. Meduňa (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
J. Růžička (státní příslušnost: CZ - Česká republika)
Popis výsledku v anglickém jazyce We report on study of oxygen precipitates grown of Czochralski silicon wafers investigated by x-ray diffraction in Bragg reflection geometry and Laue transmission geometry. The analysis of diffraction curves in Laue geometry was done using Takagi equations and statistical dynamical theory of diffraction. These techniques allow us to determine as the radius of defect area as the defect concentrations from measurement in Laue geometry. These results obtained on silicon wafers exposed to two-step and three-step treatments were compared with other experimental techniques including transmission electron microscopy and infrared absorption spectroscopy, while only the largest precipitates are detected by other techniques. The results of all methods are good agreement.
Klíčová slova oddělená středníkem Czochralski silicon; oxygen precipitates; x-ray Laue diffraction
Stránka www, na které se nachází výsledek -
DOI výsledku 10.4028/www.scientific.net/SSP.178-179.325
Odkaz na údaje z výzkumu -

Údaje o výsledku v závislosti na druhu výsledku

Název periodika Solid State Phenomena
ISSN 1012-0394
e-ISSN -
Svazek periodika 178 -179
Číslo periodika v rámci uvedeného svazku 0
Stát vydavatele periodika CH - Švýcarská konfederace
Počet stran výsledku 6
Strana od-do 325-330
Kód UT WoS článku podle Web of Science -
EID výsledku v databázi Scopus -
Způsob publikování výsledku -
Předpokládaný termín zveřejnění plného textu výsledku -

Ostatní informace o výsledku

Předkladatel Ústav fyziky materiálů AV ČR, v. v. i.
Dodavatel AV0 - Akademie věd České republiky (AV ČR )
Rok sběru 2012
Specifikace RIV/68081723:_____/11:00362811!RIV12-AV0-68081723
Datum poslední aktualizace výsledku 29.05.2012
Kontrolní číslo 13331978

Informace o dalších výskytech výsledku dodaného stejným předkladatelem

Dodáno GA ČR v roce 2012 RIV/68081723:_____/11:00362811 v dodávce dat RIV12-GA0-68081723/01:1

Informace o dalších výskytech výsledku dodaného ostatními předkladateli

Dodáno GA ČR v roce 2012 RIV/00216224:14740/11:00050319 v dodávce dat RIV12-GA0-14740___/02:1 předkladatelem Masarykova univerzita / Středoevropský technologický institut
Dodáno MŠMT v roce 2012 RIV/00216224:14740/11:00050319 v dodávce dat RIV12-MSM-14740___/01:1 předkladatelem Masarykova univerzita / Středoevropský technologický institut

Odkazy na výzkumné aktivity, při jejichž řešení výsledek vznikl

Výzkumný záměr podporovaný AV ČR AV0Z20410507 - Fyzikální vlastnosti pokročilých materiálů ve vztahu k jejich mikrostruktuře a způsobu přípravy (2005 - 2010)
Vyhledávání ...