Identifikační kód |
RIV/68081723:_____/11:00362811 |
Název v anglickém jazyce |
Oxygen precipitation studied by x-ray diffraction techniques |
Druh |
J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost) |
Poddruh |
- |
Jazyk |
eng - angličtina |
Obor - skupina |
B - Fyzika a matematika |
Obor |
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus |
Rok uplatnění |
2011 |
Kód důvěrnosti údajů |
S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů. |
Počet výskytů výsledku |
4 |
Počet tvůrců celkem |
6 |
Počet domácích tvůrců |
2 |
Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců |
Jiří Buršík (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 6334008) Milan Svoboda (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 8093326) S. Bernatová (státní příslušnost: CZ - Česká republika) O. Caha (státní příslušnost: CZ - Česká republika) M. Meduňa (státní příslušnost: CZ - Česká republika) J. Růžička (státní příslušnost: CZ - Česká republika) |
Popis výsledku v anglickém jazyce |
We report on study of oxygen precipitates grown of Czochralski silicon wafers investigated by x-ray diffraction in Bragg reflection geometry and Laue transmission geometry. The analysis of diffraction curves in Laue geometry was done using Takagi equations and statistical dynamical theory of diffraction. These techniques allow us to determine as the radius of defect area as the defect concentrations from measurement in Laue geometry. These results obtained on silicon wafers exposed to two-step and three-step treatments were compared with other experimental techniques including transmission electron microscopy and infrared absorption spectroscopy, while only the largest precipitates are detected by other techniques. The results of all methods are good agreement. |
Klíčová slova oddělená středníkem |
Czochralski silicon; oxygen precipitates; x-ray Laue diffraction |
Stránka www, na které se nachází výsledek |
- |
DOI výsledku |
10.4028/www.scientific.net/SSP.178-179.325 |
Odkaz na údaje z výzkumu |
- |