| Identifikační kód |
RIV/67985882:_____/12:00387288 |
| Název v anglickém jazyce |
Temperature-dependent properties of semimetal graphite-ZnO Schottky diodes |
| Druh |
J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost) |
| Poddruh |
- |
| Jazyk |
eng - angličtina |
| Obor - skupina |
J - Průmysl |
| Obor |
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika |
| Rok uplatnění |
2012 |
| Kód důvěrnosti údajů |
S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů. |
| Počet výskytů výsledku |
2 |
| Počet tvůrců celkem |
2 |
| Počet domácích tvůrců |
2 |
| Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců |
Jan Grym (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 2267659)
Roman Yatskiv (státní příslušnost: UA - Ukrajina, domácí tvůrce: A) |
| Popis výsledku v anglickém jazyce |
Highly rectifying semimetal graphite/ZnO Schottky diodes with a low-ideality-factor (1.08 at 300?K) were investigated by temperature-dependent current-voltage measurements. The current transport was dominated by thermionic emission between 300 and 420?Kand the extracted barrier height followed the Schottky-Mott relation. A Richardson constant (A**?=?0.272?A cm2K2) extracted from the Richardson plot shows nearly linear characteristics in the temperature range 300?420?K |
| Klíčová slova oddělená středníkem |
Schottky diodes; ZnO; Richardson constant |
| Stránka www, na které se nachází výsledek |
- |
| Odkaz na údaje z výzkumu |
- |