| Identifikační kód |
RIV/67985882:_____/11:00437407 |
| Název v anglickém jazyce |
High sensitivity graphite-Pd (Pt) nanoparticles-InP Schottky diode hydrogen sensor |
| Druh |
D - Stať ve sborníku |
| Jazyk |
eng - angličtina |
| Obor - skupina |
J - Průmysl |
| Obor |
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika |
| Rok uplatnění |
2011 |
| Kód důvěrnosti údajů |
S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů. |
| Počet výskytů výsledku |
1 |
| Počet tvůrců celkem |
4 |
| Počet domácích tvůrců |
3 |
| Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců |
Jan Grym (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 2267659)
Roman Yatskiv (státní příslušnost: UA - Ukrajina, domácí tvůrce: A)
Karel Žďánský (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 5077443)
K. Piksová (státní příslušnost: CZ - Česká republika) |
| Popis výsledku v anglickém jazyce |
Hydrogen sensing characteristics of graphite-Pd(Pt)lInP Schottky diodes fabricated by electrophoretic deposition technique were investigated. The proposed hydrogen sensors showed relatively high sensitivity response of 10 6 to 1000 ppm H 2 in N 2. The barrier height reduction due to hydrogen exposure was 0.35 eV and 0.37 eV for Pd and Pt based Schottky diodes respectively. Temperature dependence of the sensitivity, the barrier height variation, the ideality factor and the barrier height itself were studied. Pt based Schottky diodes show better sensitivity and shorter recovery times compared to Pd ones |
| Klíčová slova oddělená středníkem |
High sensitivity; Electrophoretic deposition techniques; Hydrogen sensor |
| Stránka www, na které se nachází výsledek |
- |
| Odkaz na údaje z výzkumu |
- |