| Identifikační kód |
RIV/67985882:_____/06:00043176 |
| Název v anglickém jazyce |
High purity p-type InP grown by LPE with rare-earth admixtures |
| Druh |
D - Stať ve sborníku |
| Jazyk |
eng - angličtina |
| Obor - skupina |
J - Průmysl |
| Obor |
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika |
| Rok uplatnění |
2006 |
| Kód důvěrnosti údajů |
S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů. |
| Počet výskytů výsledku |
2 |
| Počet tvůrců celkem |
4 |
| Počet domácích tvůrců |
4 |
| Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců |
Jan Grym (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 2267659)
Olga Procházková (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 2853620)
Jiří Zavadil (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 2040980)
Karel Žďánský (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 5077443) |
| Popis výsledku v anglickém jazyce |
Specific features of rare-earth oxides (PrOx, TbOx, Tm2O3, Gd2O3, and Eu2O3) and Gd are employed to improve physical properties of InP LPE layers. The gettering effect of rare-earths (REs) was observed for all studied samples with variable purifying efficiency of individual REs species. The preferential donor gettering leads to conductivity conversion from n- to p-type for majority of the studied REs. |
| Klíčová slova oddělená středníkem |
liquid phase epitaxy; III-V semiconductors; rare earth compounds |
| Stránka www, na které se nachází výsledek |
- |
| Odkaz na údaje z výzkumu |
- |