| Identifikační kód |
RIV/67985882:_____/06:00041502 |
| Název v anglickém jazyce |
A model of gettering effects of rare-earth elements in III-V compounds |
| Druh |
J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost) |
| Poddruh |
- |
| Jazyk |
eng - angličtina |
| Obor - skupina |
B - Fyzika a matematika |
| Obor |
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus |
| Rok uplatnění |
2006 |
| Kód důvěrnosti údajů |
S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů. |
| Počet výskytů výsledku |
2 |
| Počet tvůrců celkem |
2 |
| Počet domácích tvůrců |
2 |
| Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců |
Olga Procházková (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 2853620)
Fedor Šrobár (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 8716633) |
| Popis výsledku v anglickém jazyce |
Rare-earth elements (REE) show enhanced chemical affinity towards most species of the shallow donors in III-V compounds. An admixture of REE in the LPE growth solution thus leads do purification of produced layers. A quantitative description of this phenomenon is presented, deriving dependence of donor concentration on REE concentration. The model is based on conservation equations for REE and shallow donor atoms and on the equilibrium condition of the formation/dissociation reactions for REE compounds. |
| Klíčová slova oddělená středníkem |
semiconductor technology; rare earth metals; getters |
| Stránka www, na které se nachází výsledek |
- |
| Odkaz na údaje z výzkumu |
- |