Zpět na hledáníDamage accumulation and structural modification in a- and c-plane GaN implanted with 400-keV and 5-MeV Au+ ions (2018)výskyt výsledku
| Identifikační kód | RIV/61389005:_____/18:00496731 |
|---|---|
| Název v anglickém jazyce | Damage accumulation and structural modification in a- and c-plane GaN implanted with 400-keV and 5-MeV Au+ ions |
| Druh | J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost) |
| Poddruh | J/A - Článek v odborném periodiku je obsažen v databázi Web of Science společností Thomson Reuters s příznakem „Article“, „Review“ nebo „Letter“ (Jimp) |
| Jazyk | eng - angličtina |
| Vědní obor | 10304 - Nuclear physics |
| Rok uplatnění | 2018 |
| Kód důvěrnosti údajů | S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů. |
| Počet výskytů výsledku | 4 |
| Počet tvůrců celkem | 8 |
| Počet domácích tvůrců | 3 |
| Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců | Adéla Jagerová (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 5774872) Anna Macková (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 5985498, researcherid: G-8536-2014) Petr Malinský (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 2200554, researcherid: G-9878-2014) S. Akhmadaliev (státní příslušnost: DE - Spolková republika Německo) R. Bottger (státní příslušnost: DE - Spolková republika Německo) K. Klímová (státní příslušnost: CZ - Česká republika) D. Sedmidubský (státní příslušnost: CZ - Česká republika) Z. Sofer (státní příslušnost: CZ - Česká republika) |
| Popis výsledku v anglickém jazyce | c-plane (0001) and a-plane (11-20) gallium nitride (GaN) epitaxial layers were grown by Metal organic Vapour Phase epitaxy (MOVPE) on sapphire and subsequently implanted with 400-keV and 5-MeV Au+ ions using fluences 5 x 10(14) to 5 x 10(15) cm(-2). The shallow Au depth profiling was accomplished by Rutherford backscattering spectrometry. The structural changes during implantation and subsequent annealing were characterised by Rutherford backscattering spectrometry channelling and Raman spectroscopy. The interplay between nuclear and electronic stopping, influencing defect accumulation, was monitored and discussed depending on GaN orientation. Post-implantation annealing induced a structural reorganisation of the GaN structure depending on the ion-implantation fluence, ion energy, and on the crystallographic orientation. |
| Klíčová slova oddělená středníkem | damage accumulation in GaN;RBS channeling in ion-modified GaN;structure modification in c-plane and a-plane GaN |
| Stránka www, na které se nachází výsledek | - |
| DOI výsledku | https://doi.org/10.1002/sia.6403 |
| Odkaz na údaje z výzkumu | - |
Údaje o výsledku v závislosti na druhu výsledku
| Název periodika | Surface and Interface Analysis |
|---|---|
| ISSN | 0142-2421 |
| e-ISSN | - |
| Svazek periodika | 50 |
| Číslo periodika v rámci uvedeného svazku | 11 |
| Stát vydavatele periodika | US - Spojené státy americké |
| Počet stran výsledku | 7 |
| Strana od-do | 1099-1105 |
| Kód UT WoS článku podle Web of Science | 000448889600022 |
| EID výsledku v databázi Scopus | 2-s2.0-85042605382 |
| Způsob publikování výsledku | - |
| Předpokládaný termín zveřejnění plného textu výsledku | - |
Ostatní informace o výsledku
| Předkladatel | Ústav jaderné fyziky AV ČR, v. v. i. |
|---|---|
| Dodavatel | AV0 - Akademie věd České republiky (AV ČR ) |
| Rok sběru | 2019 |
| Specifikace | RIV/61389005:_____/18:00496731!RIV19-AV0-61389005 |
| Datum poslední aktualizace výsledku | 14.05.2019 |
| Kontrolní číslo | 192094233 ( v1.0 ) |
Informace o dalších výskytech výsledku dodaného stejným předkladatelem
| Dodáno GA ČR v roce 2019 | RIV/61389005:_____/18:00496731 v dodávce dat RIV19-GA0-61389005/01:2 |
|---|---|
| Dodáno MŠMT v roce 2019 | RIV/61389005:_____/18:00496731 v dodávce dat RIV19-MSM-61389005/01:1 |
Informace o dalších výskytech výsledku dodaného ostatními předkladateli
| Dodáno GA ČR v roce 2019 | RIV/60461373:22310/18:43915745 v dodávce dat RIV19-GA0-22310___/01:1 předkladatelem Vysoká škola chemicko-technologická v Praze / Fakulta chemické technologie |
|---|
Odkazy na výzkumné aktivity, při jejichž řešení výsledek vznikl
| Podpora / návaznosti | Institucionální podpora na rozvoj výzkumné organizace |
|---|