| Identifikační kód |
RIV/61389005:_____/18:00496726 |
| Název v anglickém jazyce |
Structural damage and ion-channelling effects in a single-crystal Si layer modified by medium-heavy ions |
| Druh |
J - Recenzovaný odborný článek (Jimp, Jsc a Jost) |
| Poddruh |
J/A - Článek v odborném periodiku je obsažen v databázi Web of Science společností Thomson Reuters s příznakem „Article“, „Review“ nebo „Letter“ (Jimp) |
| Jazyk |
eng - angličtina |
| Vědní obor |
10304 - Nuclear physics |
| Rok uplatnění |
2018 |
| Kód důvěrnosti údajů |
S - Úplné a pravdivé údaje o výsledku nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů. |
| Počet výskytů výsledku |
5 |
| Počet tvůrců celkem |
4 |
| Počet domácích tvůrců |
3 |
| Výčet všech uvedených jednotlivých tvůrců |
Adéla Jagerová (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 5774872)
Anna Macková (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 5985498, researcherid: G-8536-2014)
Romana Mikšová (státní příslušnost: CZ - Česká republika, domácí tvůrce: A, vedidk: 3850781, researcherid: G-9867-2014)
Roman Yatskiv (státní příslušnost: UA - Ukrajina, researcherid: F-3937-2014) |
| Popis výsledku v anglickém jazyce |
Structural modification after medium-heavy ion irradiation was characterised by Rutherford backscattering spectrometry in the channelling mode (RBS-C) for silicon-on-insulator (SOI) material. Silicon on insulator was irradiated using C+, 2(+), N+, 2(+), and O+, 2(+) ions at fluences of 1 x 10(14) and 1 x 10(15) cm(-2) and energies of 0.4, 3, and 5 MeV to follow the interplay of electronic and nuclear stopping and its influence on damage accumulation. The relative amount of displaced atoms in the surface-irradiated layer was extracted from RBS-C spectra and used, along with axial channel analysis, to study ion-channelling effects in the modified crystalline lattice. The discussion of ion penetration through the modified crystalline layer of the SOI structure in channelling direction was supported by a Monte Carlo simulation (FLUX code) of He ion flux maps in a gradually modified Si crystalline upper layer taking into account the experimentally determined relative disorder extracted from RBS-C. nnThe RBS-C measurement shows an increase of the relative amount of displaced atoms mainly after irradiation using 0.4-MeV ions at an ion fluence of 1 x 10(15) cm(-2). The narrowing effect of channels for He ion-beam channelling experiment was observed in the irradiated silicon layers and discussed in connection with the irradiation parameters. The FLUX simulation, provided with the experimentally given value of the displaced atoms, has confirmed that it is not only the vacancies that can cause such a narrowing effect of the angular scan. The angular scan narrowing can be explained for predominately electronic stopping by induced crystalline-cell modification. |
| Klíčová slova oddělená středníkem |
ion irradiation of crystals;MC modelling of ion channeling;RBS channeling;SOI material |
| Stránka www, na které se nachází výsledek |
- |
| DOI výsledku |
https://doi.org/10.1002/sia.6492 |
| Odkaz na údaje z výzkumu |
- |