| Identifikační kód |
FI-IM2/131 |
| Důvěrnost údajů |
C - Předmět obchodního tajemství podle par.17-20 obch.zákoníku, název, anotace, příp. zhodnocení výsledků řešení dodané do IS
VaV jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné |
| Název projektu v původním jazyce |
*Výzkum a vývoj pokročilé křemíkové desky pro sub-mikronové technologie. |
| Název projektu anglicky |
*Research and development of advanced silicon wafer for sub-micron technologies. |
| Poskytovatel |
MPO - Ministerstvo průmyslu a obchodu (MPO) |
| Program |
FI - IMPULS (2004 - 2010) |
| Kategorie VaV |
VV - Experimentální vývoj |
| Hlavní obor - skupina |
J - Průmysl |
| Hlavní obor |
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika |
| Vedlejší obor |
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus |
| Další vedlejší obor |
- |
| Zahájení řešení |
01.03.2005 |
| Ukončení řešení |
31.12.2007 |
| Datum posledního uvolnění účelové podpory |
23.05.2007 |
| Číslo smlouvy |
FI-IM2/131 |
| Poslední stav řešení |
U - Ukončený (rok ukončení projektu < rok sběru dat, v roce sběru dat již není financován ze SR) |
| Finance projektu | 2005 | 2006 | 2007 | celkem |
|---|
| Výše podpory z národních zdrojů | 1 113 000,001113 | 1 070 000,001070 | 1 162 000,001162 | 3 345 000,003345 | | Výše podpory z veřej. zahraničních zdrojů *** | 0,000 | 0,000 | 0,000 | 0,000 | | Neveřejné tuzem. a zahr. zdroje financování | - | - | - | 8 323 000,008323 | | Celkové uznané náklady | 3 882 000,003882 | 3 955 000,003955 | 3 831 000,003831 | 11 668 000,0011668 | | Typ | čerpané | čerpané | čerpané | |
** Finance v tisících Kč jsou automaticky zaokrouhleny z částky v jednotkách Kč s přesností na 2 desetinná místa
*** Výše podpory z veřejných zahraničních zdrojů je sledována od období sběru 2020 |
|
Zobrazit skutečně čerpané finance projektu z národních zdrojů »
| Skutečně čerpané finance projektu z národních zdrojů | 2005 | 2006 | 2007 | celkem |
|---|
| Finance | 1 113 000,001113 | 1 070 000,001070 | 1 162 000,001162 | 3 345 000,003345 |
|
| Druh soutěže |
VS - Veřejná soutěž |
| Veřejná soutěž ve výzkumu, vývoji a inovacích |
SMPO200500009 - Veřejná soutěž (MPO/FI) |
| Cíle řešení v původním jazyce |
*Výzkum a vývoj technologie výroby pokročilé leštěné desky pro high-tech sub-mikronové technologie výroby integrovaných obvodů. Pro dosažení daných cílů vývoje pokročilé desky bude v procesu Czochralskiho tažení monokrystalů křemíku instalována nová topná zóna průměru 450 mm a sníží se rozdíl mezi úrovní technologie výroby monokrystalů křemíku v ČR a u vedoucích firem v oboru. |
| Cíle řešení v anglickém jazyce |
*The development of advanced silicon wafer technology for production of high-tech integrated circuits with sub-micron detail. In order to reach these goals, we are going to install a new hot zone with diameter 450 mm for Czochralski pulling of silicon single crystals which will reduce the gap between technology level of Czech silicon single crystal manufacturer and world leading producers. |
| Klíčová slova v anglickém jazyce |
advanced silicon wafer; crystal growth; Czochralski; FEMAG; integrated circuits; semiconductor; silicon; silicon wafer |
| Kontrolní číslo stavu projektu v letech |
2005: 1644941
2006: 33544386
2007: 2397768
2008: 167775234 |
| Datum dodání posledního záznamu o projektu |
01.04.2009 |
| Systémové označení dodávky dat |
CEP08-MPO-FI-U/02:2 |